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《人工晶体学报》 2018年07期
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变温生长多晶硅对8 inch硅片几何参数影响

曲翔  徐继平  王海涛  何宇  王新  杨凯  王磊  
【摘要】:随着硅片技术的不断发展,硅片背表面沉积多晶硅技术得到了广泛应用。在硅片背表面沉积多晶硅时,温度是其整个过程中最重要的控制参数。通过改变620℃与660℃沉积膜厚比例,测试不同膜厚比例的翘曲、弯曲、晶粒大小、洁净区深度等重要参数,并结合实际需求,确定了以先620℃沉积200 nm,再用660℃沉积600 nm的工艺。该工艺既能满足后道工序对于洁净区的要求,又能有效降低硅片的几何形变。
【作者单位】有研半导体材料有限公司
【分类号】:TN304.12

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