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《金属学报》 2020年09期
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SiC_f/Ti65复合材料界面反应与基体相变机理

王超  张旭  王玉敏  杨青  杨丽娜  张国兴  吴颖  孔旭  杨锐  
【摘要】:采用磁控溅射先驱丝法并结合热等静压技术制备了SiC_f/Ti65复合材料,对其在650、750、800和900℃进行了长时间热暴露实验。结果表明,热等静压和热暴露过程中,SiC_f/Ti65复合材料内部各元素同时参与界面互扩散和基体相变扩散。热等静压后,SiC_f/Ti65复合材料界面反应层产物主要为TiC,基体中相变产物为等轴的(Zr, Nb)_5Si_4。热暴露过程中,界面反应逐渐生成了Ti_5Si_3和(Zr, Nb)_5Si_4,基体相变则有了Ti_3(Al, Sn)C和TiC生成。SiC_f/Ti65复合材料反应层长大激活能为93 kJ/mol,该材料界面可以在650℃及以下温度长时间保持稳定。

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1 张宝生,余明;关于高比重钨合金中的基体相及其与钨相相关性的探讨[J];稀有金属;1987年06期
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