Euler-Possion半导体模型的大时间行为--《中国科学(A辑:数学)》2008年04期

Euler-Possion半导体模型的大时间行为

　　本文研究了Euler-Poisson半导体模型弱熵解的大时间行为,得到了一致有界的弱熵解随着时间t指数衰减到稳态解.本文的结果不需要假定解是"小"的,也不需要假定解的正则性.
【作者单位】：中国科学院数学与系统科学研究院应用数学研究所;乔治亚理工学院数学系;中国科学院数学与系统科学研究院应用数学研究所北京 100190;亚特兰大;美国;北京 100190
【关键词】：大时间行为;Euler-Possion方程组;半导体模型;熵
【基金】：国家自然科学基金(批准号：10471138);NSFC-NSAF(批准号：10676037);科技部国家重点基础研究发展规划(批准号：2006CB805902)资助项目;潘荣华受美国自然科学基金(批准号：DMS-0505515)资助项目
【分类号】：O175.27
【DOI】：CNKI:SUN:JAXK.0.2008-04-007
【正文快照】：
　　1引言本文考虑如下的1维Euler一poisson半导体模型: n:+Jx=0，人+r丝+，(n)、一。E一;二。R，。>。，\了名/劣凡=n一b(x)，(l)其中n)0，J和E分别表示电子的密度，电流强度和(负的)电场.b=b(x)>0称为掺杂函数，用来描述掺杂物质正离子的密度结构.这里我们假设b(x)满足b(二)任CZ(

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西文参考文献

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1	Zhu Chen and Hattori H; Asymptotic behavior of the solution to a nonisentropic hydrodynamic model of semiconductors [M];Journal of Differential Equations; 1998年
2	Poupaud F., Rascle M. and Vila J. P.; Global Solutions to the Isothermal Euler-Poisson System with Arbitrarily Large Data [M];Journal of Differential Equations; 1995年
3	Gamba I M; Stationary transonic solutions of a one dimensional hydrodynamic model for semiconductor [M];Communications in Partial Differential Equations; 1992年

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1	张敏; 一类宏观量子（流体）方程的渐近行为 [D];首都师范大学; 2007年