《怀化学院学报》2006年08期 加入收藏    获取最新 
 平行耦合双量子点结构的低温输运性质
 谌宝菊;张屏
   使用双杂质的Anderson模型的哈密顿量,从理论上研究了一个嵌入并联耦合量子点(DQD)的介观电路在低温情况下的非平衡电子输运性质,并用隶玻色子(slave-boson)平均场近似方法求解了哈密顿.结果表明在低温情况下,这个系统中的Kondo效应、库仑阻塞效应以及外加偏压的复杂相互关系决定了电子的输运性质随偏压的增加,电流先是快速增大而后缓慢增大;随耦合强度的增加,微分电导由Kondo单峰变成Kondo双峰,且峰值降低,双峰距变宽.
【作者单位】:怀化学院物理与电子信息科学系 湖南怀化418008(谌宝菊);湖南职业技术学院 湖南长沙410000(张屏)
【关键词】:耦合双量子点;Kondo效应;库仑阻塞;微分电导
【基金】:四川省应用基础研究基金(02GY029-188);四川省教育厅自然科学研究基金(2003A078);怀化学院青年课题基金资助项目.
【分类号】:O471.1
【DOI】:cnki:ISSN:1671-9743.0.2006-08-016
【正文快照】:
  1引言近年来,量子点结构成为了一个新的研究热点[1-3].原因主要有三:其一,电子运动在所有的方向上都受到限制,量子点结构中的量子效应最为明显.从能量和电荷分立的角度来看,量子点与原子具有紧密的相似性,因此量子点通常被称为人造原子[4].量子点结构所具有的库仑阻塞、能量量子化等电子输运特性为设计和制造量子效应原理性器件和纳米结构器件(单电子晶体管、电子旋转门器件、室温单电子存储器等)开辟了新的发展方向.同时由于其能谱的分立增强了态密度的尖锐程度,因此零维量子点结构具有大的光学非线性和独特的光致发光性质,从而使得量子点…
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 Low-temperature Transport Properties in Parallel-coupled Double Quantum Dots Devices
 CHEN Bao-Ju1;ZHANG Ping2 (1.Department of Physics and Electronic Information Science;Huaihua University;Huaihua;Hunan 418008; 2.Journal of Hunan College of Information;Changsha;Hunan 410000)
  We theoretically study transport properties in parallel-coupled double quantum dots devices at the low temperature by means of the two-impurity Anderson Hamiltonian and Green functions.It is shown that at the low temperature,these transport properties are not only determined by the competition between the Kondo resonance and Coulomb blockade,but also affected by the bias voltage:with the increase of the bias voltage,the persistent current firstly goes up quickly,and then slowly.With the increase of the coupled strength,the Kondo resonance of the differential conductance becomes double peaks from single peak,the max-peak goes down,and the distance of the double peak becomes broader and broader.Thus,this model might be a candidate for future device applications.
【Keyword】:coupled double quantum dots;Kondo effect;Coulomb blockade;differential conductance
 【参考文献】 共(1)篇 
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1叶剑斐,叶飞,丁国辉; 嵌入量子点的介观Aharonov-Bohm环的基态与持续电流 [J];物理学报; 2003年02期
 【共引文献】 共(6)篇 
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3吴绍全,何忠,阎从华,谌雄文,孙威立; 嵌入并联耦合双量子点介观环系统中的近藤效应 [J];物理学报; 2006年03期
4谌雄文,贺达江,吴绍全,宋克慧; 嵌入平行量子点的非平衡介观环路的极化电流 [J];物理学报; 2006年08期
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6吴绍全,谌雄文,孙威立,王顺金; 嵌入耦合量子点的介观Aharonov-Bohm环内的持续电流 [J];物理学报; 2004年07期
 【二级参考文献】 共(1)篇 
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1王继锁,冯健,詹明生; 无耗散介观电感耦合电路的库仑阻塞和电荷的量子效应 [J];物理学报; 2001年02期
 【相似文献】 
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5龙世兵,李志刚,王丛舜,谢长青,张立辉,易里成荣,陈宝钦,赵新为,刘明; 一种SOI基平面侧栅单电子晶体管的制作方法 [A];科技、工程与经济社会协调发展——中国科协第五届青年学术年会论文集 [C]; 2004年
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