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《重庆师范大学学报(自然科学版)》 2008年01期
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退火对N-In共掺杂p型ZnO薄膜结构和光电性质的影响

秦国平  孔春阳  阮海波  南貌  朱仁江  
【摘要】:利用射频磁控溅射结合离子注入的方法在石英玻璃衬底上成功地实现了ZnO薄膜的N-In共掺杂,借助于XRD、霍耳测试、透射谱测试等手段分析了不同退火条件下对ZnO薄膜的结构及光电性质的影响。实验结果表明,在氮气环境下,退火温度介于550~600℃,退火时间控制在5~10 min内,可以获得较稳定的p型ZnO薄膜。其中,经过580℃退火20 min的ZnO薄膜具有最佳的电学特性,即空穴浓度达到1.22×1018cm-3,迁移率为2.19 cm2V-1s-1,电阻率是2.33Ωcm。另外,制备的ZnO薄膜在可见光范围内都有很好的透射率,其常温下的禁带宽度为3.25 eV,相对块材本征ZnO的禁带宽度略有减小。

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