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《长春光学精密机械学院学报》 1999年02期
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堆积式列阵半导体激光器

赵英杰  黎荣晖  晏长岭  钟景昌  
【摘要】:本文介绍堆积式列阵半导体激光器, 着重在GaInAsP/InP 系列激光器。由于它们的T。小, 受环境温度影响大, 用一般结构制作列阵器件是很困难的。而采用大光腔结构的激光器, 它的T0 值可达100 ~140K, 单个1-3μm 激光器,脉冲峰值功率超过3w ( 瓦)[ 1] , 单个1-55μm 激光器, 脉冲峰值功率超过2 W[ 2] 。我们用它们的芯片研制堆积列阵激光器在研制中发现, 列阵的输出功率小于各单元器件输出功率之和; 而减小的比率随着单元数目增加而增加。我们制成3 ×4 单元的1-3μm 列阵激光器, 其脉冲峰值功率大于24 W; 4 ×4 单元的1-55μm 列阵激光器, 它的脉冲峰值功率大于20 W。

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【引证文献】
中国硕士学位论文全文数据库 前1条
1 王强;无扫描成像激光雷达激光束传输特性研究[D];哈尔滨工业大学;2006年
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 朱宝仁,张兴德,薄报学,张宝顺,杨忠和;高功率808 nmInGaAsP-GaAs分别限制结构的半导体激光器[J];光学学报;1997年12期
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前2条
1 朱大勇;美国固体激光雷达技术新进展[J];红外与激光工程;1997年03期
2 宋正方;106μm激光的斜程大气衰减[J];激光技术;1997年06期
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