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《半导体技术》 2019年07期
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采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体(110)面的各向异性

张颖  金雷  孙科伟  程红娟  
【摘要】:采用平行及垂直配置下的偏振散射装置,对物理气相传输(PVT)法同质籽晶生长的六方AlN晶体进行偏振喇曼研究,测量了激发光偏振方向与光轴成不同角度时各个振动模的偏振喇曼光谱,得到不同振动模式的喇曼信号强度变化。结果表明,对于A_1(TO)和E_1(TO)振动模,在平行及垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期均为π/2,相位差均为π/4;对于E■振动模,在平行和垂直偏振配置下,其喇曼强度曲线的变化周期分别为π及π/2。通过喇曼选择定则及实验数据拟合分析得到AlN晶体各个振动模的喇曼张量比,其中,A_1(TO)、E_1(TO)和E■振动模的喇曼张量比为ZnO的2~3倍。垂直偏振配置下,AlN晶体的喇曼张量比远大于4H-SiC材料,为4~7倍,表明AlN晶体具有更强的各向异性,为纤锌矿结构材料的各向异性研究提供依据。

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前6条
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【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 张颖;金雷;孙科伟;程红娟;;采用偏振喇曼光谱研究AlN晶体(110)面的各向异性[J];半导体技术;2019年07期
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前3条
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