半导体材料稀土掺杂的理论及应用

【摘要】：近年来，稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法；材料的制备及其电学、光学性质，并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光电器件方面的应用结果。

【作者单位】：北京有色金属研究总院
【关键词】：硅 砷化镓 磷化铟 稀土掺杂方法 光电器件
【分类号】：TN305.3
【正文快照】：

半导体材料稀土掺杂的理论及应用屠海令（北京有色金属研究总院１０００８８）近年来，稀土掺杂导体材料已成为引人注目的研究课题。本文阐述了硅和主要Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中掺杂的原理、掺杂方法；材料的制备及其电学、光学性质，并简要介绍了目前稀土掺杂半导体材料在光

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