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高-低结IMPATT二极管用LPEGaAs材料的研制

龚秀英  赵建设  
【摘要】:根据高-低结雪崩二极管的基本原理提出了器件对材料参数的要求,并且用LPE的方法生长了符合器件要求的高一低结外廷片。这种材料具有较高的本底纯度,高-低结突变,掺杂分布均匀,表面光滑,结构完整性较好。用这种材料制作的高-低结IMPATT二极管,最高水平为:f=12.9千兆赫,P=2.84瓦,η=30.9%。

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