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《真空》 2011年04期
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PEM控制中频反应磁控溅射制备TiO_2薄膜的研究

王治安  王军生  童洪辉  
【摘要】:采用中频反应磁控溅射孪生靶在玻璃基体上沉积TiO2薄膜。沉积过程中采用多路送气和等离子体发射光谱监测控制系统,使整个反应溅射过程维持在"过渡区",从而快速稳定获得均匀高质量的TiO2薄膜,沉积速度在50 nm/min以上。随着SP值的增加,沉积速率的增加呈线性关系。通过比较不同SP值制备的TiO2薄膜的光谱图发现,快速稳定地沉积TiO2薄膜的SP值大致在2.5~3.8范围内。
【作者单位】核工业西南物理研究院;
【分类号】:O484.1

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