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《自然科学进展》 1993年02期
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微氮硅单晶中新的氧沉淀形态

杨德仁  王幼文  姚鸿年  阙端麟  
【摘要】:正 直拉(CZ)硅单晶中的氧杂质在器件制造的热处理工艺中,结合原生微缺陷或其它杂质原子,形成氧沉淀,严重影响着硅材料的器件的质量,引起了人们的重视.近年来,研究者对氧沉淀的形核、生长、形态和杂质原子的关系等方面,进行了广泛的探索.在硅晶体经历高温

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