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《中国科学技术大学学报》 2007年Z1期
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用XANES研究Ga_(1-x)Mn_xN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

闫文盛  孙治湖  刘庆华  钟文杰  潘志云  韦世强  
【摘要】:利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-MnI二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.

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