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《装甲兵工程学院学报》 2007年05期
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轰击能量对Ti-Si-N纳米复合膜生长与力学性能的影响

蔡志海  张平  杜军  赵军军  
【摘要】:采用离子束辅助沉积法(IBAD)在单晶硅片上制备了Ti-Si-N纳米复合薄膜,研究了轰击能量大小对Ti-Si-N纳米复合薄膜生长及力学性能的影响,同时探讨了轰击能量对Ti-Si-N纳米复合薄膜的生长机理的影响。通过原子力显微镜(AFM)、纳米压入仪、光电子能谱(XPS)和X射线衍射分析(XRD)等现代分析技术,对Ti-Si-N纳米复合薄膜的晶粒大小、力学性能、成分与相结构进行综合表征分析。试验结果表明:当轰击能量为700eV时,Ti-Si-N薄膜晶粒直径达到了最小值11nm,此时Ti-Si-N薄膜的硬度相对最高,为33GPa。

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【参考文献】
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