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《Chinese Physics B》 2014年11期
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Synergistic effects of total ionizing dose on single event upset sensitivity in static random access memory under proton irradiation

肖尧  郭红霞  张凤祁  赵雯  王燕萍  张科营  丁李利  范雪  罗尹虹  王园明  
【摘要】:Synergistic effects of the total ionizing dose(TID) on the single event upset(SEU) sensitivity in static random access memories(SRAMs) were studied by using protons. The total dose was cumulated with high flux protons during the TID exposure, and the SEU cross section was tested with low flux protons at several cumulated dose steps. Because of the radiation-induced off-state leakage current increase of the CMOS transistors, the noise margin became asymmetric and the memory imprint effect was observed.

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
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