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《原子与分子物理学报》 2006年04期
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Si(001)表面In量子线的第一原理研究

戴宪起  琚伟伟  吴新华  李同伟  
【摘要】:利用第一原理理论研究了金属In在Si(001)表面吸附的原子结构.结果表明,In原子的吸附不破坏衬底Si的二聚体化学键.在低覆盖率时,In原子在Si(001)衬底上形成有序量子线,取向沿衬底Si的二聚体化学键方向.计算结果显示相邻In线之间不存在排斥作用.

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