收藏本站
《原子能科学技术》 2016年09期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

InGaAsP器件质子位移损伤等效性研究

黄绍艳  刘敏波  郭晓强  肖志刚  盛江坤  王祖军  姚志斌  何宝平  唐本奇  
【摘要】:对基于非电离能量损耗(NIEL)的位移损伤等效性研究方法进行了讨论,计算了不同能量质子在InGaAsP材料中的NIEL。利用解析方法对库仑散射引起的NIEL进行了计算,分析了不同库仑散射模型的适用范围,并利用Monte-Carlo方法对核反应引起的NIEL进行了计算。以InGaAsP多量子阱激光二极管为研究对象,开展了4、5和8 MeV质子辐照实验,获得了激光二极管的阈值电流损伤系数。研究结果表明:实验用不同能量质子辐射环境下的阈值电流损伤系数测试结果与NIEL理论计算结果之间呈线性关系。

手机知网App
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前3条
1 田坤;丁鹏;;1.3μm超辐射发光二极管的辐照性能研究[J];半导体光电;2011年04期
2 黄绍艳;刘敏波;王祖军;唐本奇;肖志刚;张勇;;光敏晶体管的中子位移损伤效应研究[J];原子能科学技术;2011年05期
3 ;[J];;年期
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026