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《原子能科学技术》 2012年08期
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H原子在γ-U(100)表面吸附与扩散的密度泛函研究

曹坤  廖俊生  李赣  
【摘要】:采用密度泛函理论方法研究了H原子在γ-U(100)表面的吸附和扩散。结果表明:H原子在γ-U(100)表面的最佳吸附位依次为穴位、桥位和顶位,吸附能分别为2.696、2.597和2.017eV;H原子在γ-U中的最佳间隙位为四面体间隙,其次是八面体间隙,吸附能分别为1.534eV和0.991eV;H原子在铀表面以及近表面层的不同吸附位之间的扩散需克服不同的势垒,相比于间隙位,H原子更倾向于在γ-U(100)表面吸附聚集。
【作者单位】表面物理与化学重点实验室;
【分类号】:O647.31

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