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《原子能科学技术》 2010年02期
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特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响

张科营  郭红霞  罗尹虹  何宝平  姚志斌  张凤祁  王园明  
【摘要】:采用TCAD工艺模拟工具按照等比例缩小规则构建了从亚微米到超深亚微米级7种不同特征尺寸的MOS晶体管,计算了由这些晶体管组成的静态随机存储器(SRAM)单粒子翻转的临界电荷Qcrit、LET阈值(LETth),建立了LETth与临界电荷之间的解析关系,研究了特征工艺尺寸对CMOS SRAM抗单粒子翻转性能的影响及原因。研究表明:随着特征尺寸的减小,SRAM单元单粒子翻转的临界电荷减小,电荷收集效率由于寄生双极晶体管效应而增加,造成LETth随特征尺寸缩小而迅速减小,CMOS SRAM抗单粒子翻转性能迅速降低。
【作者单位】西北核技术研究所;
【分类号】:TN32

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