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《重庆文理学院学报(自然科学版)》 2011年04期
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(Ga)_(12)N,(Ga)_(12)B荷电团簇的电子结构与磁性

李顺江  代武春  
【摘要】:基于第一性原理,在密度泛函理论框架下,用广义梯度近似(GGA)研究20面体(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇的电子结构与磁性,系统计算了束缚能BE、中心原子到表面原子的间距、最高占据轨道(HOMO)、最低未占据轨道(LUMO)及其能隙,分析了(Ga)12B,(Ga)12N荷电团簇表面到中心原子间距、束缚能和HOMO与LUMO间的能隙随掺杂原子掺杂位置、带电情况不同的变化.研究表明,具有Ih对称性结构的荷电团簇更稳定,统除Ih对称性结构(Ga)12B1+荷电团簇有磁性外,其它均无磁性.
【作者单位】重庆文理学院物理系;
【基金】:重庆文理学院自然科学研究项目(Y2009SW69)
【分类号】:O611.3

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前6条
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【共引文献】
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中国博士学位论文全文数据库 前1条
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中国硕士学位论文全文数据库 前4条
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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3 郝静安,郑浩平;Ga_6N_6团簇结构性质的理论计算研究[J];物理学报;2004年04期
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【相似文献】
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中国重要会议论文全文数据库 前10条
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中国博士学位论文全文数据库 前10条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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9 靳磊;铌酸锂晶体结构与光学性能的密度泛函理论计算[D];哈尔滨工业大学;2006年
10 龚凯;磁性材料电子结构和自旋结构的第一性原理研究[D];武汉理工大学;2007年
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