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《云南大学学报(自然科学版)》 1984年03期
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关于测量硅单晶锭中少于寿命的计算公式

陈学全  包德修  
【摘要】:正 本文论述了用现有的光电导衰减法测硅单晶锭中少于寿命计算公式存在的问题。针对此问题,提出了与它相应的改进公式。用此改进公式算出的值与实验测得的数据基本一致。 一、引言 用光电导衰减法测锗、硅单晶锭中少数载流子寿命的计算公式早在1955年就被D.J.Steveson等人提出,其后,JP.Mckelvey又对圆柱形单晶锭进行过专门的计算,现在许多文献都在引用他们的结果,国内一些工厂和实验室测单晶锭中少子寿命时,也都采用这类公式。文献(2)中所提出的公式和文献(1)中是一致的,所以这里我们仅讨论文献(1)中的公式。

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