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《发光快报》 1988年06期
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用Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜异质结作太阳能电池的窗口

刘洪楷  
【摘要】:具有良好的 n—型导电性的Ⅱ—Ⅵ族化合物薄膜常常被用作异质结太阳能电池中的收集器窗口层。本文报导了 CdS,(Zn,Cd)S,和 ZnO 薄膜的制备和特性.CdS 和(Zn,Cd)S 薄膜是用二元化合物的真空蒸镀法制备的.可以采用高源温度来获得由 S 空位所形成的本征掺杂.估计了施主浓度随蒸镀温度的变化。采用共蒸镀镓载铟的方法来提供本征的掺杂。适当地调节沉积条件和 Ga 的掺杂浓度,可以得到良好导电的 x0.5的(Zn_xCd_(1-x))S 膜。ZnO 膜可以用反应蒸镀法来制备,也可以在 O_2气氛中溅射 Zn 或溅射 ZnO 靶来制备。在无非本征掺杂的情况下可以获得400Ω~(-1)cm~(-1)的导电率.本文还讨论了具有Ⅰ—Ⅲ—Ⅵ_2吸收体的各种异质结的特性.本文还对 CuGaSe_2异质结相对于带的不连续性在理论上所得到的开路电压和实验结果进行了比较.
【正文快照】:
摘要 具有良好的n一型导电性的l一班族化合物薄膜常常被用作异质结太阳能电池中的收集器窗口层。本文报导了CdS,(Zn,Cd)S,和Zno薄膜的制备和特性。CdS和(Zn,Cd)S薄膜是用二元化合物的真空蒸镀法制备的.可以采用高源温度来获得由S空位所形成的本征掺杂.估计了施主浓度随蒸镀温

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