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《压电与声光》 2002年03期
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ZnO压敏陶瓷最佳掺杂含量的理论计算

范志新  
【摘要】:从对电子薄膜材料研究中得到的最佳掺杂含量定量理论推广到 Zn O陶瓷材料。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个掺杂最佳含量的表达式。系统地分析了 Zn O压敏陶瓷的掺杂改性的实验结果 ,应用此表达式定量计算了Zn O压敏陶瓷的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论也适用于其他薄膜材料最佳掺杂含量的理论计算。
【作者单位】河北工业大学应用物理系
【分类号】:TM282

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【参考文献】
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【共引文献】
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【同被引文献】
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