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《英才》 2018年06期
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存储芯片 零的突破

谢泽锋  
【摘要】:正在存储芯片领域,中国企业开始后起发力。在主流存储芯片领域,中国仍然是一片空白,这一形容前面不用"基本"二字做掩饰。全球DRAM、NAND存储芯片基本由美日韩企业垄断,三星、SK海力士、美光、东芝等巨头顺势赚得盆满钵满。目前,在存储芯片领域,中国企业开始后起发力,形成三足鼎立的局面——投入NAND Flash市场的长江存储、专注于移动存储芯片DRAM的合肥长鑫以及致力于普通存储芯片的晋华。
【分类号】:F426.63;TP333

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1 章从福;;全球存储芯片价格较年初上涨77%[J];半导体信息;2004年05期
2 向辉;;存储芯片设计实现新突破[J];世界科学;2008年07期
3 ;全球存储芯片市场将年增13%[J];集成电路应用;2004年07期
4 ;集成电路[J];今日电子;1999年07期
5 竺红卫,严晓浪,孙玲玲,马琪;存储芯片层次化分割P/G网等效电阻求解算法[J];电路与系统学报;2001年04期
中国重要报纸全文数据库 前6条
1 王如晨;台湾欲注资150亿元拯救存储芯片业[N];第一财经日报;2009年
2 薛严;三星推出40纳米级动态存储芯片[N];科技日报;2010年
3 万晓晓;700亿新台币救助计划 台湾存储芯片业引纷争[N];经济观察报;2009年
4 吴冰心;康佳三大方向圈占技术核心区[N];中国高新技术产业导报;2008年
5 岳伟;“运动高清”最适合观看奥运比赛[N];中国现代企业报;2008年
6 ;在三星存储芯片项目竣工投产仪式上的致辞[N];陕西日报;2014年
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