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《仪表技术与传感器》 1971年04期
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硅片工艺学—工艺现状

J.T.Law  
【摘要】:目前在工厂已能制作位错密度小于1,000厘米~(-2)的直径为2~3吋(50~75毫米)的单晶。这些单晶是由4,000~8,000克熔体中生长出来的。由于探用了内圆刁片,所以切片技术已能切割直径为3(1/4)吋(82毫米)的单晶了。如切割更大尺寸的单晶,则需要探用锯条或金属丝切片方法。经过研磨和化学变薄过程,可采用几种抛光法来加工出平滑的、无损伤的表面。其中最有效的方法就是能提供良好结果的一种非碱性淤浆系统,而这些结果与硅片的传导率、型式和电阻率无关。
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