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掺铒GaN薄膜光致发光的研究

宋淑芳  陈维德  陈长勇  许振嘉  
【摘要】:采用傅立叶变换红外光谱(FT IR)研究了掺铒GaN薄膜光致发光特性。光致发光谱(PL)的测量结果表明:选用退火时间长的电阻加热退火炉退火,有利于薄膜中晶格损伤的恢复。MOCVD,MBE两种方法制备的GaN薄膜,注入铒,退火后的PL谱形状基本一样;薄膜中O,C的含量越大,可能导致1539nm处的PL强度越强。不同衬底对掺铒GaN薄膜的红外光致发光影响很大,在Si衬底上外延生长的GaN样品峰值在1539nm处的PL积分强度只有Al2O3(0001)衬底上外延生长GaN样品的30%。MBE生长的GaN Al2O3样品,注入铒、退火后,当测量温度从15K变化到300K时,样品发光的温度猝灭是30%。

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