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YGG晶体中Ru~(3+)离子的缺陷结构和自旋哈密顿参量研究

丁军涛  谢林华  刘丽  
【摘要】:YGG:Ru3+晶体是重要的激光材料。本文基于晶体场和自旋哈密顿理论,采用低自旋(S=1∕2)三角强场d5组态的微扰公式,计算了4d5离子Ru3+在YGG晶体中的自旋哈密顿参量(g因子g∥,g⊥和超精细结构常数A∥和A⊥)。通过拟合键角θ、共价因子N2和芯极化常数κ,合理地解释了这些自旋哈密顿参量,并获得了Ru3+杂质中心在YGG晶体中的局部缺陷结构为D3d对称,畸变后的键角为56.097°。

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