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Ga_2O_3氮化法合成GaN薄膜的研究

殷立雄  王芬  杨茂举  黄艳  
【摘要】:采用Ga2O3与NH3在管式电炉中于高温常压下进行反应,并在硅基片上沉积GaN薄膜,研究了各种工艺参数如反应温度、NH3的流量、硅基片反应前后处理等因素对沉积GaN薄膜的影响,并通过SEM和AFM对生成物进行了分析。实验结果表明,在1125℃,NH3流量为26~30L/h时可在Si基片111面上沉积生成GaN薄膜。

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