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《西安交通大学学报》 1990年01期
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砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析

陈贵灿  K.L.Wang  刘之行  邵志标  
【摘要】:本文叙述用有限元方法对工作在导带的 GaAs MESFET's 器件进行二维稳态模拟的程序.用三角形单元不均匀网格剖分的程序,能局部加密,优化结点编码,缩小带宽;对基本方程离散采用改进的电荷浓缩法和有限元——有限差分混合法;方程求解采用藕合法,偏压步长大,计算速度快.
【作者单位】
【基金】:国家自然科学基金
【分类号】:TN386.3;

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 刘之行,陈贵灿;MOS器件二维有限元分析[J];工程数学学报;1989年02期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 谈根林,武云建,杨琳;半导体器件有限元分析的网格自适应剖分技术[J];电子学报;1987年03期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 杨姮彩;砷化镓双异质结激光器寿命达万小时[J];中国激光;1981年12期
2 周继程,沈德新,乔墉,徐晨梅,翁渝民;发可见光的掺氮砷化镓[J];应用科学学报;1984年03期
3 杨新民,王渭源,王文骐;砷化镓双栅肖特基势垒栅场效应晶体管微波参数测试研究[J];应用科学学报;1985年02期
4 朱维和;砷化镓进入大量生产[J];大自然探索;1987年02期
5 王若桢;赵明山;;光调制反射光谱实验研究[J];北京师范大学学报(自然科学版);1987年03期
6 陈贵灿;K.L.Wang;刘之行;邵志标;;砷化镓 金属—半导体场效应晶体管的二维数值分析[J];西安交通大学学报;1990年01期
7 陈贵灿,刘之行,邵志标,徐成贤,李显志,朱维宝;凹槽栅砷化镓金属-半导体场效应晶体管的二维稳态有限元分析[J];西安交通大学学报;1991年03期
8 黄庆安;吕世骥;童勤义;;GaAs压电物性的研究[J];东南大学学报(自然科学版);1991年02期
9 张筑虹,钱列加,陈绍和,范滇元,毛宏伟;以砷化镓为锁模元件的被动锁模Nd:YAG激光器[J];中国激光;1992年01期
10 徐士杰,江德生;量子阱红外探测器[J];红外与毫米波学报;1992年04期
中国重要会议论文全文数据库 前10条
1 刘以嵩;韦银高;赵克明;;遥感卫星高速数字信道中的可编程多任务解调系统[A];中国空间科学学会空间探测专业委员会第十次学术会议论文集[C];1997年
2 丁洪林;张秀风;张万昌;;GaAs核辐射探测器[A];第7届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(一)[C];1994年
3 漆映涛;曹锦云;黄龙生;王群书;;砷化镓探测器的性能测量及理论模拟[A];第7届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集(二)[C];1994年
4 黃龙生;李倩;张国光;霍宏发;曹锦云;;GaAs半绝缘探测器的研制[A];第十届全国核电子学与核探测技术学术年会论文集[C];2000年
5 屠海令;郑安生;张峰翊;邓志杰;王永鸿;钱嘉裕;韩庆彬;陈坚邦;;砷化镓及相关化合物半导体材料的研究进展和应用前景[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
6 凌浩;应质峰;吴嘉达;孙剑;施维;杜元成;李富铭;;以GaAs为原材料低温制备GaN薄膜[A];第四届中国功能材料及其应用学术会议论文集[C];2001年
7 易荣清;孙可煦;杨国洪;刘慎业;;光电导探测器灵敏度标定[A];中国工程物理研究院科技年报(2002)[C];2002年
8 施志贵;罗剑波;费三国;;半导体激光二极管激励光导开关的实验[A];中国工程物理研究院科技年报(2002)[C];2002年
9 岳爱文;王任凡;沈坤;石兢;李洛;唐建冠;;高性能850nm氧化限制型VCSELs研究[A];全国第十一次光纤通信暨第十二届集成光学学术会议(OFCIO’2003)论文集[C];2003年
10 刘大春;杨斌;戴永年;刘自力;刘永成;吴昆华;;真空法处理砷化镓废料回收镓的研究[A];2004’全国真空冶金与表面工程学术研讨会会议论文集[C];2004年
中国重要报纸全文数据库 前10条
1 何小明;日本复合半导体材料快速增长[N];中国电子报;2000年
2 若怀;我国半导体新材料步入产业化[N];中国电子报;2000年
3 宋志平(北新集团董事长);“两高一大”营造北新材料园[N];中国建材报;2000年
4 记者 郑贺;中关村建设新材料产业基地[N];科学时报;2000年
5 记者 李彦;北新建材进军半导体新材料产业[N];证券时报;2000年
6 本报记者 梁红兵;北京,高起点打造集成电路产业链[N];中国电子报;2001年
7 网文;摩托罗拉推进半导体技术商业化[N];中国电子报;2001年
8 凌霏;化合物半导体:电子材料的新秀[N];解放日报;2001年
9 记者 张怀忠;我国第一根四英寸VCZ砷化镓单晶问世[N];科学时报;2001年
10 刘红灿 袁晓阳;我国砷化镓单晶生长技术世界领先[N];新华每日电讯;2001年
中国博士学位论文全文数据库 前3条
1 程知群;砷化镓微波单片集成电路研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2000年
2 任殿胜;砷化镓表面特性及紫外光激发下表面氧化反应研究[D];天津大学;2003年
3 刘文超;砷化镓基高温HBT器件及其特性研究[D];中国科学院研究生院(上海微系统与信息技术研究所);2004年
中国硕士学位论文全文数据库 前10条
1 黄海苟;约束刻蚀剂层技术用于砷化镓三维规整细微图形的复制加工[D];厦门大学;2001年
2 陈二柱;砷化镓光电导开关瞬态特性研究[D];西安理工大学;2002年
3 郭惠;NDLECSI GaAs衬底材料对MESFET器件性能的影响[D];河北工业大学;2002年
4 刘力锋;热处理对非掺杂半绝缘LECGaAs本征缺陷及电特性影响的研究[D];河北工业大学;2002年
5 张春玲;半绝缘砷化镓中微缺陷的研究[D];河北工业大学;2002年
6 章晨静;导电玻璃和硅上热壁外延生长砷化镓薄膜的研究[D];云南师范大学;2002年
7 刘立浩;GaAs MESFET击穿特性研究[D];河北工业大学;2003年
8 唐蕾;半绝缘砷化镓单晶中位错胞状结构和微缺陷的研究[D];河北工业大学;2003年
9 张乃罡;砷化镓光电导探测器的研制及其电子辐照改性[D];四川大学;2001年
10 刘芳芳;掺锰(Mn)砷化镓(GaAs)材料性质的研究[D];河北工业大学;2003年
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