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动态局域畸变引起的内耗

王业宁  黄以能  沈惠敏  
【摘要】:报道了两种动态局域畸变引起的内耗,第一种是在二级结构相变点Tc处可以测到一个很高而又很窄的低频(<MHz)内耗峰,它归因于涨落效应,即应力诱发并导致动态新相畸变区的择优取向.第二种是高温超导氧化物在正常态区内耗(kHz)有一很高的背景平台(Qp-1),在Tc以下随温度迅速下降.YBaCuO的Qp-1随氧含量的减少(或掺Pr量的增加)而降低.结合霍耳系数测量结果,获得了Qp-1正比于载流子浓度(nH)的关系.Qp-1的起源可归因于载流子周围的动态局域畸变(类极化子).考虑了能隙边的宽化,从Qps-1/Qpn-1实验值求得超导能隙值为2Δ0/kBTc≈4.

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