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γ辐照室温短波HgCdTe光伏器件的导纳谱研究

胡新文  赵军  陆慧庆  李向阳  方家熊  
【摘要】:利用变频导纳谱研究了γ辐照前后Hg1-xCdxTe(x=06)n+onp结中的深能级缺陷.辐照前其缺陷能级位置在价带上015eV,俘获截面σp=29×10-18cm2,缺陷密度Nt=65×1015cm-3,初步认为是Hg空位或与其相关的复合缺陷;经过104Gy的γ辐照后其能级变得更深,在价带上019eV,同时其俘获截面增加了近一个数量级,而缺陷密度基本上没有变化.γ辐照引入的这种能级变化最终使器件的性能(探测率)下降了1/2以上.

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