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《物理学报》 1997年03期
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iC多型体X射线定量分析的Rietveld方法

刘红超  郭常霖  
【摘要】:鉴于SiC多型体的主要衍射线完全重叠,用常规X射线粉末衍射方法确定SiC陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的.提出以X射线粉末衍射全谱拟合的Rietveld方法进行SiC多型体定量分析,阐述了原理及方法.对含3C,4H,6H和15R4种多型体衍射数据的定量分析结果表明:Rietveld方法可对SiC材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果.还给出了各自的标准偏差,并估计了该方法对各多型体能给出精确结果的最低含量
【作者单位】中国科学院上海硅酸盐研究所
【分类号】:O434.19

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