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《物理学报》 2015年21期
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纳米静态随机存储器质子单粒子多位翻转角度相关性研究

罗尹虹  张凤祁  郭红霞  郭晓强  赵雯  丁李利  王园明  
【摘要】:器件特征尺寸的减小带来单粒子多位翻转的急剧增加,对现有加固技术带来了极大挑战.针对90 nm SRAM(static random access memory,静态随机存储器)开展了中高能质子入射角度对单粒子多位翻转影响的试验研究,结果表明随着质子能量的增加,单粒子多位翻转百分比和多样性增加,质子单粒子多位翻转角度效应与质子能量相关.采用一种快速计算质子核反应引起单粒子多位翻转的截面积分算法,以Geant4中Binary Cascade模型作为中高能质子核反应事件发生器,从次级粒子的能量和角度分布出发,揭示了质子与材料核反应产生的次级粒子中,LET(linear energy transfer)最大,射程最长的粒子优先前向发射是引起单粒子多位翻转角度相关性的根本原因.质子能量、临界电荷的大小是影响纳米SRAM器件质子多位翻转角度相关性的关键因素.质子能量越小,多位翻转截面角度增强效应越大;临界电荷的增加将增强质子多位翻转角度效应.

【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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2 贺朝会,陈晓华,李国政;高能质子单粒子翻转效应的模拟计算[J];计算物理;2002年04期
【共引文献】
中国期刊全文数据库 前10条
1 王园明;郭红霞;张凤祁;张科营;陈伟;罗尹虹;郭晓强;;SRAM single event upset calculation and test using protons in the secondary beam in the BEPC[J];半导体学报;2011年09期
2 贺朝会,耿斌,王燕萍,杨海亮,张正选,陈晓华,李国政,路秀琴,符长波,赵葵,郭继宇,张新;静态随机存取存储器重离子单粒子翻转效应实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年02期
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5 黄影;张春元;;空间环境下COTS计算机的抗SEU容错体系结构设计[J];航天控制;2006年06期
6 赖鑫;戴葵;刘芳;王志英;;高可靠8051微处理器的设计与实现[J];计算机工程与科学;2009年01期
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8 陈一新,梁昊,薛俊东,侯龙,刘宝莹,刘强,虞孝麒,周永钊;BESⅢμ子探测器前端板FPGA的辐射损伤实验[J];高能物理与核物理;2005年08期
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中国重要会议论文全文数据库 前1条
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中国博士学位论文全文数据库 前6条
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5 谯凤英;非挥发性电荷俘获存储器设计及其电离辐射可靠性研究[D];清华大学;2013年
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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6 黄影;星载COTS计算机的体系结构设计及其抗SEU研究[D];国防科学技术大学;2006年
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8 薛挺;空间应用的信息处理系统抗辐射技术研究[D];国防科学技术大学;2008年
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【二级参考文献】
中国期刊全文数据库 前4条
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2 王同权,戴宏毅,沈永平,张若棋,肖亚斌;宇宙高能质子致单粒子翻转率的计算[J];国防科技大学学报;2002年02期
3 杨海亮,李国政,姜景和,贺朝会,唐本奇;质子和中子的单粒子效应等效性实验研究[J];核电子学与探测技术;2002年02期
4 贺朝会,陈晓华,李国政;高能质子单粒子翻转效应的模拟计算[J];计算物理;2002年04期
【相似文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 陈善强;师立勤;;诱发单粒子多位翻转的电荷分享研究[J];核电子学与探测技术;2011年02期
中国重要会议论文全文数据库 前1条
1 耿超;刘杰;侯明东;孙友梅;张战刚;习凯;古松;段敬;姚会军;莫丹;罗捷;;相同LET值粒子倾角入射引起的单粒子多位翻转效应研究[A];第二十五届全国空间探测学术研讨会摘要集[C];2012年
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