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H~+和Ar~(11+)激发Si的K壳层X射线发射研究

周贤明  赵永涛  程锐  王兴  雷瑜  孙渊博  王瑜玉  徐戈  任洁茹  张小安  梁昌慧  李耀宗  梅策香  肖国青  
【摘要】:测量了50—250keV H+和1.0—3.0MeV Ar11+轰击Si表面过程中辐射的X射线.结果表明,在Ar11+入射的情况下,引起了Si的L壳层上3,4个电子的多电离.计算了Si的K壳层X射线产生截面,并将两体碰撞近似(BEA),平面波恩近似,ECPSSR理论计算与实验值进行了对比.ECPSSR理论与质子产生的截面数据能够很好地符合;而考虑多电离后,BEA理论与Ar11+的实验结果符合较好.

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