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《物理学报》 2009年12期
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静态随机存储器单粒子翻转效应三维数值模拟

张科营  郭红霞  罗尹虹  何宝平  姚志斌  张凤祁  王园明  
【摘要】:针对特征尺寸为1.5μm的国产静态随机存储器(SRAM),构建了三维SRAM存储单元模型,并对重离子引起的SRAM单粒子翻转效应进行了数值模拟.计算并分析了单粒子引起的单粒子翻转和电荷收集的物理图像,得到了SRAM器件的单粒子翻转截面曲线.单粒子翻转的数值模拟结果与重离子微束、重离子宽束实验结果比较一致,表明所建立的三维器件模型可以用来研究SRAM器件的单粒子翻转效应.
【作者单位】西北核技术研究所;
【分类号】:TP333

【引证文献】
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