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《物理学报》 2006年12期
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CuI晶体缺陷态电子结构及其施主-受主对发光机理的研究

刘海兰  顾牡  张睿  徐荣昆  黎光武  欧阳晓平  
【摘要】:运用相对论密度泛函理论和嵌入分子团簇方法,模拟计算了具有γ相CuI晶体的本征缺陷态电子结构.结果表明,四面体间隙Cu和Cu空位最有可能在禁带中引入浅施主和受主能级,从而形成施主-受主对(DAP),产生420—430nm的DAP复合发光.

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