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《物理学报》 2006年12期
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TiO_2和SiO_2薄膜应力的产生机理及实验探索

顾培夫  郑臻荣  赵永江  刘旭  
【摘要】:对最常用的TiO2和SiO2薄膜应力,包括应力模型、应力测试方法和不同实验条件下的应力测试结果作了研究.基于曲率法模型,对TiO2和SiO2单层膜和多层膜进行了实验测试,得到了一些有价值的结果,特别是离子辅助淀积和基板温度等工艺参数对薄膜应力的影响.提出了薄膜聚集密度是应力的重要因素,低聚集密度产生张应力,而高聚集密度产生压应力.在多层膜中通过调节工艺参数,适当地控制张应力或压应力,可使累积应力趋向于零.

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