CoSi电子结构第一性原理研究--《物理学报》2005年01期

《物理学报》 2005年01期

CoSi电子结构第一性原理研究

【摘要】：采用基于第一性原理的密度泛函理论全势线性扩展平面波法 ,首先对CoSi的晶胞参数进行优化计算 ,CoSi多粒子系统的最低能量为 - 1346 8 4 2 97Ry ,此时其晶胞处于最稳态 ,与最稳态对应的晶胞体积V0 等于 5 89 936 0a .u .3,晶胞参数为a =b =c =0 4 4 38nm ;然后计算了优化后的CoSi的电子结构及Si侧Al掺杂的CoSi0 75Al0 2 5的电子结构并分析了两者的电子结构特征 ,计算的CoSi电子能态密度与已有的计算结果整体形貌相同 ,但存在局部差异 ,Al掺杂后费米面发生了偏移 ;最后探讨了两者的电子结构对热电性能的影响 ,Al掺杂

【作者单位】：上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试开放实验室
【关键词】： 第一性原理 电子结构 热电性能
【基金】：上海市应用材料研究与发展基金(批准号:0 3 17) 国家自然科学基金(批准号 :5 990 2 0 0 3 )资助的课题~~
【分类号】：TB39
【DOI】：CNKI:SUN:WLXB.0.2005-01-059
【正文快照】：

1 引言热电材料可实现电能与热能间的相互转换 ,其在热电发电和制冷、恒温控制与温度测量及微电子制冷等领域都有极为重要的应用前景[1— 5] .热电器件具有很多优点 ,如没有移动部件、结构紧凑、工作无噪声、无污染、安全不失效等 ,在少数尖端科技领域已经获得了成功应用[6—

全文下载：

CAJ格式（推荐）

PDF格式
不支持迅雷等加速下载工具，请取消加速工具后下载

CAJViewer7.0阅读器支持所有CNKI文件格式，AdobeReader仅支持PDF格式

	【引证文献】
	【引证文献】

中国期刊全文数据库

前1条

1	赵宗彦;柳清菊;张瑾;朱忠其;;3d过渡金属掺杂锐钛矿相TiO_2的第一性原理研究[J];物理学报;2007年11期

	【参考文献】
	【参考文献】

中国期刊全文数据库

前3条

1	唐新峰,陈立东,後藤孝,平井敏雄,袁润章;n型Ba_yNi_xCo_(4-x)Sb_(12)化合物的热电性能[J];物理学报;2002年12期
2	杨磊,张澜庭,吴建生;致密度对填充skutterudite化合物La_(0.75)Fe_3CoSb_(12)热电性能的影响[J];物理学报;2004年02期
3	史迅,陈立东,柏胜强,唐新峰;CoSb_3/C_(60)复合材料的固相反应合成和热电性能[J];物理学报;2004年05期

	【共引文献】
	【共引文献】

中国期刊全文数据库

前10条

1	陈琦丽;唐超群;;过渡金属掺杂金红石相TiO_2能带结构的第一性原理计算[J];材料科学与工程学报;2006年04期
2	朱月香,段连运,钱民协;固体表面结构和常用表面分析技术[J];大学化学;2000年06期
3	刘富义;量子阱中二维电子气的性质[J];大学物理;2003年07期
4	张立,谢洪鲸;施加电场的半抛物量子阱中束缚态的能级结构[J];大学物理;2004年04期
5	巫翔,秦善,吴自玉;从头计算在矿物压致相变研究中的应用[J];地质科技情报;2005年03期
6	付川,陈书鸿,傅杨武,胡杰;Fe(III)掺杂对TiO_2光催化活性的影响机理[J];重庆大学学报(自然科学版);2005年08期
7	黄坤林,李桢,徐洁,曲宝琦,张鹏;导电聚合物——2000年诺贝尔化学奖简介[J];化学教育;2001年01期
8	孙立忠,陈效双,郭旭光,孙沿林,周孝好,陆卫;CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算[J];红外与毫米波学报;2004年04期
9	诸蔚朝,李卫华,马红孺;约束条件下的硬球流体[J];化学物理学报;2002年04期
10	柴永泉;固体能带的计算方法[J];廊坊师范学院学报;2002年04期

中国重要会议论文全文数据库

前2条

1	宋桥台;杨苹;王锦标;鲁雄;黄楠;;钽掺杂金红石TiO_2电子结构的第一性原理研究[A];第六届中国功能材料及其应用学术会议论文集（10）[C];2007年
2	杨毅彪;张少临;李秀杰;梁伟;;二维锗圆柱型光子晶体的带隙结构研究[A];国际材料科学与工程学术研讨会论文集（上册）[C];2005年

中国博士学位论文全文数据库

前10条

1	李喜波;金属小团簇的密度泛函理论研究和金属纳米团簇材料的实验研究[D];四川大学;2007年
2	付宏志;TiAl基金属间化合物Co_2TiAl的第一性原理研究[D];四川大学;2007年
3	郭云东;氧化镁和立方氮化硼等晶体高压下弹性及热力学性质的研究[D];四川大学;2007年
4	钟俊波;TiO_2基催化剂上气相光催化降解苯的研究[D];四川大学;2007年
5	彭刚;PZT第一性原理计算及其铁电性能研究[D];华中科技大学;2006年
6	李春;氧化锌及其纳米结构[D];南京航空航天大学;2007年
7	邓辉球;二元合金系表面聚集的计算机模拟研究[D];湖南大学;2001年
8	李书平;平均键能物理内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究[D];厦门大学;2001年
9	杜红林;稀土—铁金属间永磁化合物间隙原子效应的研究[D];中国原子能科学研究院;2001年
10	邓云龙;涡轮LP-MOCVD研制GaInP/GaA1InP应变多量子阱高亮度发光二极管[D];华南师范大学;2002年

中国硕士学位论文全文数据库

前10条

1	龚凯;磁性材料电子结构和自旋结构的第一性原理研究[D];武汉理工大学;2007年
2	张传瑜;LaNi_5储氢材料中间相和氢化物中氦行为研究[D];四川大学;2007年
3	巫邵波;ZnO/AlN双层膜的制备与性能研究[D];合肥工业大学;2007年
4	孔凡杰;Pd-CO体系的分子势能函数及CO在Pd表面的吸附结构[D];四川大学;2007年
5	杨成英;准一维纳米结构体系的量子动力学[D];湘潭大学;2007年
6	朱宇昕;钙钛矿结构的能带计算[D];西安电子科技大学;2007年
7	胡立业;钛酸锶钡薄膜介电非线性特性研究[D];电子科技大学;2007年
8	高礼静;镓（Ga_n）、氮化镓（Ga_nN）及铟（In_n）团簇的结构和电子性质研究[D];南京航空航天大学;2007年
9	崔磊;用TDDFT方法模拟氢原子、氢分子和氮分子高次谐波的产生[D];扬州大学;2007年
10	陈喜;离子晶体热力学性质及晶态氨基酸NMR化学位移张量的理论研究[D];华中师范大学;2001年

	【同被引文献】
	【同被引文献】

中国期刊全文数据库

前10条

1	王承遇,陈敏,董胜敏,陶瑛,王继红,李刚,谷秀梅,柳鸣,史非,LEPNEV G;医用微型玻璃电极的结构与特性[J];硅酸盐学报;2004年03期
2	吴树新,马智,秦永宁,齐晓周,梁珍成;掺杂纳米TiO_2光催化性能的研究[J];物理化学学报;2004年02期
3	张勇,唐超群,戴君;锐钛矿TiO_2及其掺Fe所导致的红移现象研究:赝势计算和紫外光谱实验[J];物理学报;2005年01期
4	马新国;唐超群;黄金球;胡连峰;薛霞;周文斌;;锐钛矿型TiO_2(101)面原子几何及弛豫结构的第一性原理计算[J];物理学报;2006年08期
5	徐凌;唐超群;戴磊;唐代海;马新国;;N掺杂锐钛矿TiO_2电子结构的第一性原理研究[J];物理学报;2007年02期
6	彭丽萍;徐凌;尹建武;;N掺杂锐钛矿TiO_2光学性能的第一性原理研究[J];物理学报;2007年03期
7	谭明秋,陶向明,徐小军,何军辉,叶高翔;MgCNi_3的电子结构、光学性质与超导电性[J];物理学报;2003年02期
8	唐春红,蔡孟秋,尹真,张明生;铁电体SrBi_2Nb_2O_9电子能带结构的第一性原理研究[J];物理学报;2004年09期
9	宋红州;张平;赵宪庚;;原子氢在Be(100)薄膜上吸附的第一性原理计算[J];物理学报;2006年11期
10	李晓娜,聂冬,董闯;碳掺杂β-FeSi_2薄膜的电子显微学研究[J];电子显微学报;2002年01期

	【相似文献】
	【相似文献】

中国期刊全文数据库

前10条

1	金钟声,李卓棠,杜有如;La_6NiSi_2S_(14)与La_6CoSi_2S_(14)的合成及其晶体结构[J];应用化学;1985年04期
2	刘平，李炳宗，黄维宁，姜国宝，顾志光;CoSi＿2／Si结构中杂质离子注入及自对准硅化物MOS器件技术[J];应用科学学报;1994年04期
3	张灶利，肖治纲，杜国维;Co薄膜中CoSi化合物相转变过程观察[J];金属学报;1995年16期
4	李吉海,高建军,冯大诚,冯圣玉;第一过渡系金属硅烯配合物的理论研究[J];高等学校化学学报;2001年02期
5	李明喜,何宜柱,孙国雄;IF钢表面激光熔覆Co基合金/SiC_p涂层的研究[J];激光技术;2003年02期
6	斯松华,何宜柱,袁晓敏,Je-Hyun Lee,Mark T.Lusk;激光熔覆含B_4C_p,SiC_p钴基合金涂层的组织与耐磨性能[J];中国有色金属学报;2003年02期
7	周扬,李成川,任维丽,张澜庭,吴建生;B掺杂CoSi的微观组织和单晶热电性能[J];中国有色金属学报;2004年12期
8	潘志军,张澜庭,吴建生;CoSi电子结构第一性原理研究[J];物理学报;2005年01期
9	张万里,蒋洪川,杨国宁,彭斌,张文旭,张永强;热处理温度对FeCoSiB薄膜及FeCoSiB/Cu/FeCoSiB三明治膜应力阻抗效应的影响[J];功能材料;2005年04期
10	姜传海,程凡雄,吴建生;CoSi_2薄膜二维X射线衍射线形分析与表征[J];金属学报;2005年05期

中国重要会议论文全文数据库

前10条

1	F.Hong;B.Patnaik;G.A.Rozgonyi;B.Z.Li;P.Liu;Z.Sun;;INTERDEFFUSION AND REACTION OF Co/Ti(C,O) BILAYERS AND MULTILAYERS WITH Si(100) SUBSTRATE[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
2	;STUDY ON SOLID STATE REACTION OF TiN/Co/Ti MULTI-LAYER WITH AMORPHOUS SILICON[A];Proceedings of 1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];1995年
3	P.L.F.HEMMENT;;INVESTIGATION OF Ti, Co AND Fe SILICIDES ON SIMOX MATERIALS(Invited)[A];Proceedings of 1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];1995年
4	;EPITAXIAL GROWTH OF CoSi_2 ON BOTH (111) AND (100) Si BY THE REACTION OF TERNARY Co/TVSi SYSTEM[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
5	C.T.LIN;M.H.JUANG;H.C.CHENG;;EFFECTS OF RAPID THERMAL ANNEALING ON THE FORMATION OF SHALLOW N-P JUNCTIONS BY AS~+ IMPLANTATION INTO THIN COSI FILMS ON SI SUBSTRATES[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
6	;EPITAXIAL GROWTH OF CoSi_2 BY Co/Ti/Si SOLID PHASE REACTION AND ITS APPLICATION IN SALICIDE TECHNOLOGY(Invited)[A];Proceedings of 1995 4th International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];1995年
7	;FORMATION AND CHARACTERIZATION OF REFRACTORY METAL SILICIDES--SILICON SCHOTTKY DIODES[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
8	Q.F.Wang;C.M.Osburn;R.Chapman;G.E.McGuire;;Thermal Stability and Interface Roughness of CoSi_2 Thin Films[A];The Proceedings of the Third International Conference on Solid State and Integrated Circuit Technology[C];1992年
9	P.Kluth;Q.-T.Zhao;S.Winnerl;S.Lenk;S.Mantl;;SELF-ASSEMBLED EPITAXIAL CoSi_2/Si(100)NANOSTRUCTURES[A];Proceedings of 2001 6～(th) International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];2001年
10	;Silicide synthesis by metal ion implantation and ion deposition[A];Proceedings of 2001 6～(th) International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology[C];2001年

中国重要报纸全文数据库

前1条

1	李宏;多路由支撑多个网[N];中国计算机报;2001年