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《物理学报》 1987年08期
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用HREELS研究氢在GaAs和InP的(111),()表面上的吸附

侯晓远  杨曙  董国胜  丁训民  王迅  
【摘要】:氢在GaAs和InP表面上的吸附可以用高分辨率电子能量损失谱(HREELS)来探测。Ga—H,As—H,In—H和P—H键的伸缩振动各自对应于不同的能量损失。但是As—H振动极容易和Ga—H振动追加声子损失相混淆,只有从损失峰的相对强度比较上来区别。实验得到吸附的氢与表面原子的成键情况取决于表面的原子结构及电子分布。对于GaAs(111)面,低暴露量时只形成Ga—H键,而高暴露量时还可以形成As—H键。而InP(111)表面由于是经过磷气氛退火处理的,在低暴露量下In—H与P—H键均可形成。InP(Ⅲ)面上只看到P—H损失峰,说明这个表面是完全以P原子结尾的。在(Ⅲ)面上出现小面的情形,则表面

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
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【相似文献】
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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10 李嘉席;GaAs材料及GaAs器件性能对卫星通信小型站接收系统的影响[D];河北工业大学;2002年
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