收藏本站
《物理学报》 1987年03期
收藏 | 投稿 | 手机打开
二维码
手机客户端打开本文

硅单晶中片状沉淀物X射线形貌研究

储晞  麦振洪  戴道扬  崔树范  葛培文  
【摘要】:本文利用X射线截面形貌术、限区形貌术、回摆形貌术以及扫描电子显微镜等方法研究了硅单晶中一个片状沉淀物,确定其组态及在晶体内的位置,并对其形成作了简略的分析。

手机知网App
【相似文献】
中国重要报纸全文数据库 前1条
1 物理系;薛其坤团队领衔发现单原子层的超导体[N];新清华;2010年
中国硕士学位论文全文数据库 前6条
1 李珣;飞秒激光材料表面微加工[D];天津大学;2008年
2 羊建坤;太阳能硅单晶快速生长中结晶潜热的研究[D];河北工业大学;2007年
3 余长军;物性参数对硅单晶CZ法生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2005年
4 魏东海;勾形磁场对硅单晶CZ生长过程影响的全局数值分析[D];重庆大学;2007年
5 李洪源;Φ200 mm太阳能级CZSi单晶生长速率的数值模拟研究[D];河北工业大学;2008年
6 曾小平;大型晶体生长系统(设备)关键技术研究[D];西安理工大学;2008年
中国知网广告投放
 快捷付款方式  订购知网充值卡  订购热线  帮助中心
  • 400-819-9993
  • 010-62791813
  • 010-62985026