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《无机化学学报》 2008年03期
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简捷微波合成多角星形氧化锌

胡寒梅  邓崇海  张克华  孙梅  
【摘要】:正ZnO为直接宽禁带半导体材料,室温下禁带宽度达到3.37eV,束缚激子结合能高达60meV,可广泛用于光电器件[1,2]、表面声波器件[3]、场发射材料[4]、传感器[5]、紫外激光器[6]及太阳能电池[7]等。由于结构形貌与材料的性能和应用相关,ZnO纳米材料形貌控制一直是该材料研究领域的热点[8]。由ZnO纳米棒和纳米线组成一定规则的聚集体,可以构筑特殊的纳米功能材料和纳米器件,已引起人们的高度关注。具有特殊花样的ZnO单晶聚集体的制备方法有水热法[9~11]、热蒸发输运沉积法[12~14]和超声辐照法[15,16]

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