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《无机材料学报》 2011年09期
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碳化硅多孔陶瓷气孔率和强度影响因素

李俊峰  林红  李建保  
【摘要】:研究了陶瓷粘结剂含量、碳化硅颗粒粒径以及烧结温度对高温气体过滤用碳化硅多孔陶瓷抗弯强度和气孔率的影响.利用X射线衍射测试了多孔陶瓷烧结后的物相组成.陶瓷粘结剂含量的增加使碳化硅多孔陶瓷的气孔率快速下降,在陶瓷粘结剂含量15wt%时,碳化硅多孔陶瓷可具有较高的气孔率(37.5%)和抗弯强度(27.63MPa).随着碳化硅颗粒粒径从300μm减少到87μm,碳化硅多孔陶瓷的气孔率和抗弯强度可同时提高,气孔率从35.5%增加到了42.4%,而抗弯强度从19.92MPa增加到了25.18MPa.碳化硅多孔陶瓷的烧结温度从1300℃增加到1400℃过程中,其气孔率从38.7%迅速下降到35.4%,而其抗弯强度一直在27MPa左右,没有大幅变化,所以该多孔陶瓷的烧结温度应该选在陶瓷粘结剂熔点(1300℃)附近,不宜过高.

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