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硫系玻璃半导体材料的快速蒸发

【摘要】:正 硫系玻璃是以VI族元素硫、硒、碲为基础的半导体材料。近年来,对其作为电存储和光存储器件方面的应用可能性作了大量研究。显然,为了制得性能优良的器件,必须制备优质的薄膜,故薄膜制备工艺是一个颇受重视的课题。在实际工作中,我们经常需要制备多组分的薄膜,而硫系玻璃就是一种多组分的材料,其中各组分的熔点和蒸汽压强往往各不相同,相差悬殊。本文针对Te-AS-Ge系统的蒸发工艺进行了研究。碲熔点约450℃,在520℃时的蒸汽压为1毫米汞柱;锗熔点约960℃,在

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