新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)

【摘要】：长期以来，人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属／铁电／半导体（MFS）结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。

【作者单位】：上海复旦大学电子工程系微电子研究室!上海 200433 上海复旦大学电子工程系微电子研究室!上海 200433 上海复旦大学电子工程系微电子研究室!上海 200433 上海复旦大学电子工程系微电子研究室!上海 200433
【分类号】：TP333

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1	颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌,程旭,钟琪,姚海平,汤祥云;用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究[J];微电子学;2000年01期

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1	陈峥,汤庭鳌,邹斯洵;Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术[J];半导体学报;1999年02期

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4	包定华;铁电存储器——存储器家族中最有发展潜力的新成员[J];自然杂志;1997年01期
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7	王华,任鸣放;铁电存储器及研究进展[J];桂林电子工业学院学报;2000年03期
8	汤祥云,王岸如,程旭,汤庭鳌;一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现[J];微电子学;2001年04期
9	李晓辉;FRAM铁电存储器技术[J];电子产品世界;2001年21期
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1	记者邓烽;我看好电子商务前景[N];重庆商报;2000年
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