新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)

【摘要】：长期以来，人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属／铁电／半导体（MFS）结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。

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前10条

1	顾本源;铁电存储器[J];物理;1992年04期
2	包定华;铁电存储器研究进展[J];压电与声光;1993年03期
3	窦振中,汪立森;新型存储器FRAM与非易失性存储器[J];舰船电子对抗;1996年04期
4	包定华;铁电存储器——存储器家族中最有发展潜力的新成员[J];自然杂志;1997年01期
5	曾祥斌,白铁城,徐重阳;真空溅射制备PZT铁电薄膜[J];电子元件与材料;1998年04期
6	颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌;新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)[J];微电子技术;1998年03期
7	王华,任鸣放;铁电存储器及研究进展[J];桂林电子工业学院学报;2000年03期
8	汤祥云,王岸如,程旭,汤庭鳌;一种4k位串行铁电不挥发存储器的VLSI实现[J];微电子学;2001年04期
9	李晓辉;FRAM铁电存储器技术[J];电子产品世界;2001年21期
10	窦振中;适于多种用途的铁电存储器FM1608S[J];世界电子元器件;2001年09期

中国重要会议论文全文数据库

前2条

1	王剑;洪永强;林华星;;铁电存储器FM1608在多规程生物样品分选仪运动控制系统中的应用[A];福建省科协第五届学术年会数字化制造及其它先进制造技术专题学术年会论文集[C];2005年
2	陈彦宇;阮爱武;李平;蔡道林;欧阳帆;翟亚红;;一种新型铁电存储器脉冲式读出方法的研究[A];四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会论文集[C];2006年

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前4条

1	邢溯;高介电常数材料的制备及电学性能研究[D];中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所）;2002年
2	王宁章;层状结构铁电存储器的研究[D];华中科技大学;2005年
3	彭刚;PZT第一性原理计算及其铁电性能研究[D];华中科技大学;2006年
4	郭冬云;铁电存储器用Bi_（3.25）La_（0.75）Ti_3O_（12）薄膜的制备及性能研究[D];华中科技大学;2006年

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前10条

1	范秀强;CMOS/SOI与铁电存储器（FeRAM）的工艺研究[D];中国科学院上海冶金研究所;2001年
2	李东;铁电存储器薄膜材料的Sol-Gel制备及性能研究[D];华中科技大学;2004年
3	彭家根;PZT热释电薄膜材料的研究[D];电子科技大学;2005年
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6	李建军;用于铁电存储器的Bi_4Ti_3O_（12）薄膜材料的制备及性能研究[D];华中科技大学;2005年
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9	刘维娟;便携式智能流量计的研究开发[D];河北工业大学;2006年
10	朱志洁;励磁系统参数显示及修改模块的研究[D];河北工业大学;2006年

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前2条

1	记者邓烽;我看好电子商务前景[N];重庆商报;2000年
2	魏刚;画框业悄然兴起[N];光明日报;2001年

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