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《微电子技术》 1998年03期
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新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)

颜雷  黄维宁  姜国宝  汤庭鳌  
【摘要】:长期以来,人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属/铁电/半导体(MFS)结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。

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【引证文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 颜雷,黄维宁,姜国宝,汤庭鳌,程旭,钟琪,姚海平,汤祥云;用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究[J];微电子学;2000年01期
【同被引文献】
中国期刊全文数据库 前1条
1 陈峥,汤庭鳌,邹斯洵;Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术[J];半导体学报;1999年02期
【二级引证文献】
中国博士学位论文全文数据库 前1条
1 张卫华;铁电薄膜的微细图形制备及其性能研究[D];西安理工大学;2007年
【相似文献】
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2 包定华;铁电存储器研究进展[J];压电与声光;1993年03期
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中国重要会议论文全文数据库 前2条
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中国重要报纸全文数据库 前2条
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中国硕士学位论文全文数据库 前10条
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3 彭家根;PZT热释电薄膜材料的研究[D];电子科技大学;2005年
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5 郑浩烽;基于DSP的变压器继电保护测控装置设计[D];华中科技大学;2005年
6 李建军;用于铁电存储器的Bi_4Ti_3O_(12)薄膜材料的制备及性能研究[D];华中科技大学;2005年
7 董娜;基于PIC单片机的电能采集终端的设计和应用[D];武汉理工大学;2006年
8 安黎;铁电存储器单元与阵列的设计方法研究[D];清华大学;2005年
9 刘维娟;便携式智能流量计的研究开发[D];河北工业大学;2006年
10 朱志洁;励磁系统参数显示及修改模块的研究[D];河北工业大学;2006年
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