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《微波学报》 2012年S1期
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TiN镀层对射频器件表面二次电子倍增的抑制作用

焦晓静  苏党帅  王茜  
【摘要】:射频器件中的二次电子倍增效应通常会产生许多不良影响,使用TiN镀层来抑制射频器件中的二次电子倍增已经有许多成功的应用。本文概述了TiN镀层的二次电子发射性能及其对真空系统释气率的影响,总结了TiN镀层在陶瓷窗、超导腔、直线加速器等射频器件中的应用,得出了相关结论。
【作者单位】西北核技术研究所;
【分类号】:TN152

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