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《热加工工艺》 2014年10期
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IGBT用铝基碳化硅基板制备及性能测试

仝蒙  傅蔡安  季坤  叶君剑  
【摘要】:IGBT模块作为重要的高频大功率开关元器件,频繁的热循环导致其层状模块结构钎焊焊层内产生热应力,使得焊层开裂脱落,进而引起IGBT模块芯片温度过高失效。颗粒增强相金属基复合材料(SiCP/Al)基板由于其较高的热导率和与IGBT封装材料相匹配的热膨胀系数,能解决IGBT模块这一主要失效难题。采用预制块压力渗透法制备铝基碳化硅基板:将SiC颗粒进行表面金属化预处理,熔融铝液在700℃下保温30 min,预热模具温度设定600℃。压力渗透后脱模成型的铝基碳化硅基板,其热导率与热膨胀系数测试值均符合基板材料的性能要求。

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