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《山西师范大学学报(自然科学版)》 2010年01期
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论平板晶体中声学极化子自陷转变的可能性

侯俊华  段晓峰  
【摘要】:本文采用类Huybrechts变分法讨论了声学极化子在平板晶体,这种实际存在的准二维结构中自陷的可能性.并得到结论:声学极化子在Ⅲ -Ⅴ族化合物和大多数卤碱化物的平板结构中自陷的可能性很小;但空穴极化子在某些Ⅲ -Ⅴ族化合物,如GaN和AlN的平板结构中能够自陷.

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1 侯俊华;低维系统中声学极化子及其自陷转变[D];内蒙古大学;2007年
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