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《山东师范大学学报(自然科学版)》 2007年03期
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氨化时间和膜厚对Si(Ⅲ)上AIN薄膜生长取向的影响

胡丽君  庄惠照  薛成山  薛守斌  张士英  李保理  
【摘要】:采用磁控溅射技术在Si(Ⅲ)衬底上沉积了Al膜,在高温炉中使之与氨气反应制备AlN薄膜.利用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜等研究了薄膜的结构、成分以及表面形貌.结果表明不同氨气作用时间会使薄膜表现出不同的择优生长取向,同时不同厚度的Al薄膜也会在氨气作用后生成不同择优生长取向的AlN薄膜.

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【参考文献】
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【共引文献】
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【二级参考文献】
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