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《人工晶体学报》 2014年02期
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退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

何亦辉  介万奇  周岩  刘惠敏  徐亚东  王涛  查钢强  
【摘要】:研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律。研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180 h后,CdZnTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由1010Ω·cm减小至~107Ω·cm。同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500~4000cm-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关。在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(ρ)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化。

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【参考文献】
中国期刊全文数据库 前2条
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【共引文献】
中国期刊全文数据库 前9条
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中国重要会议论文全文数据库 前1条
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【相似文献】
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