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加速坩埚旋转下降技术生长LiInS_2晶体

王善朋  陶绪堂  董春明  焦正波  蒋民华  
【摘要】:本论文采用新的合成方法—高压釜法,利用高纯单质Li(3N)、In(4N)、S(sublimed)为原料,在1120℃下合成了单相、致密的LiInS2多晶料,并对其做了XRD表征。对传统的Bridgman-Stockbarger生长技术进行了改进,实现了加速坩埚旋转下降技术(ACRT),从而获得了较大尺寸的红外非线性光学晶体LiInS2,并对晶体的结构进行了表征。

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1 万书权;朱世富;赵北君;黄毅;朱伟林;徐承福;何知宇;;AgGa_(1-x)In_xSe_2晶体退火改性研究[A];第14届全国晶体生长与材料学术会议论文集[C];2006年
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