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AgGa_(1-x)In_xSe_2单晶的生长研究

黄毅  赵北君  朱世富  刘娟  张建军  朱伟林  徐承福  
【摘要】:采用高纯(99.9999%)Ag、Ga、In和Se单质为原料,按化学计量比富Se 0.3~0.5%配料,通过机械振荡和温度振荡相结合的方法合成出单相高致密AgGa1-xInxSe2多晶材料。以此为原料采用布里奇曼法生长出外观完整的尺寸为15mm×25mm的AgGa1-xInxSe2单晶锭(x=0.2)。沿自然显露面对晶体进行了解理和X射线衍射分析,发现该面是(101)面。同时进行了红外透过率测试,其红外透过率为41%。

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